Infineon（英飞凌）

英飞凌的分立器件种类丰富，以下是一些常见的类型：

碳化硅 MOSFET 分立器件

· CoolSiC™ MOSFET：具有低器件电容、开关损耗受温度影响小、内部续流二极管反向恢复电荷极低、无门槛电压导通等特性，可实现高功率密度、高效率和高可靠性，适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因数校正（PFC）电路、双向拓扑以及 DC-DC 转换器或 DC-AC 逆变器等，在人工智能服务器电源单元、太阳能和储能系统、工业应用、汽车应用等领域广泛使用.

IGBT 分立器件

· IGBT7 系列：包括 T7、S7、H7 等型号，其中 T7、S7 面向需要短路电流能力的应用，如马达驱动；H7 采用微沟槽栅技术，极大降低导通损耗和开关损耗，适合追求高效率、低损耗的应用，且部分产品采用新封装，增加爬电距离和电气间隙，提高可靠性，适用于光伏、储能、充电桩等户外场景.

· 反向导通 IGBT：如 650V 的 RC-H6 反向导通 IGBT，适用于半桥感应烹饪等应用.

二极管

· 碳化硅肖特基二极管：具有反向恢复时间短、正向电压降小等优点，与 IGBT 等器件配合使用，可显著降低开关损耗，提高系统效率，常用于高频、高压、高效率的功率变换电路，如 DC-DC 变换器、PFC 电路等2.

· 普通硅二极管：包括快恢复二极管、整流二极管等，可满足不同电压、电流等级和应用场景的需求，在电源电路、信号处理电路等中起到整流、限幅、箝位等作用 。

晶体管

· 双极型晶体管（BJT）：如 BCV49H、BCW60DE 等型号，具有电流放大作用，可用于音频放大、开关电路、信号处理等多种电路中.

· 场效应晶体管（FET）：包括 MOSFET 和 JFET 等，其中 MOSFET 又有 NFET 和 PFET 之分，如 IRF1010NPBF、IRF9530N 等型号，具有输入阻抗高、噪声低、功耗小等优点，广泛应用于电源管理、电机驱动、信号放大等电路.

晶闸管

· 普通晶闸管：可用于可控整流、逆变、调压等电路，实现对交流电能的控制和变换，常用于电力电子设备、工业控制等领域 。

· 门极可关断晶闸管（GTO）：具有可关断能力，能够通过控制门极信号实现器件的导通和关断，主要应用于高压、大电流的直流输电、变频调速等领域 。

其他分立器件

· 电阻：包括普通电阻、精密电阻、功率电阻等，用于限制电流、分压、产生热量等，在各种电子电路中都有广泛应用。

· 电容：有陶瓷电容、电解电容、钽电容等多种类型，用于滤波、耦合、旁路、储能等，不同类型的电容适用于不同的频率范围和电压等级。

· 电感：主要用于滤波、储能、变压等，如功率电感可用于 DC-DC 变换器中储存和释放能量，扼流圈可用于阻止高频电流通过等 。